SiC 功率器件结构拓扑优化设计

作者	单位
洪嘉晨,师蔚,郭辉

摘要点击次数: 175

全文下载次数: 3

中文摘要:

针对大功率电机控制器中多芯片并联模块因寄生参数过高引起的动态响应迟缓与过热等问题，构建了统筹多目标的新型芯片布局拓扑系统优化框架。优化框架涵盖系统预计算、仿真、多目标优化与优劣解距离法（TOPSIS）决策的全流程设计方法，依此创新设计了上凹下凸型双排曲面芯片布局。通过优化空间排布缩短回路路径、均衡支路电感，同步提升低电感特性与均流性能。优化后，芯片布局的总寄生电感降低12.87%，均流系数提高12.35%。试验验证了仿真结果的可靠性，研究为碳化硅（SiC）功率器件的低电感与高均流设计提供了有效解决方案。

英文摘要:

查看全文查看/发表评论

关闭